Труды ФТИАН. Т. 20. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование
СТОИМОСТЬ: 242 руб. 72.60 руб.
КУПИТЬ КНИГУОписание книги:
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования на-нотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
The proceedings devoted to the 20th anniversary of Physico-Technological Institute of RAS include topical issues on micro- and nanoelectronics, micro- and nanoelectromechanical systems, and solid state quantum computers. Prospects of full-scale quantum computers on solid state ion traps are considered, and electron transport in 1 D multi-well structures is analyzed. Special focus is on physics and modeling of nanotransistors (silicon in ultra-thin body SOI, tunnel transistors, nanotransistors with graphene channel, etc.). Optical intersubband transition in broken-gap structures is studied. Articles on modeling of electromigration damage of thin-film conductors, strength of joint materials interface dependence on microstructure and point defects, and modeling of neutralization paths in sources of fast neutrals are presented. A review of plasma processes in MEMS technology is given.
For specialists in the field of micro- and nanoelectronics.
